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ninepins    
n. 九柱戏;其木柱

九柱戏;其木柱

ninepins
n 1: a bowling game that is played by rolling a bowling ball
down a bowling alley at a target of nine wooden pins [synonym:
{ninepins}, {skittles}]


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英文字典中文字典相关资料:


  • 4 第三章 薄膜的生长解析 - 百度文库
    凝结过程是从蒸发源中被蒸发的气相原子、离子或分子 入射到基体表面后，从气相到吸附相，再到凝结相的一个相变过程。 一、吸附过程 基本概念 表面悬挂键：不饱和的化学键。
  • 原子在较高温度下沉积到表面时会发生什么？通过热能控制 . . .
    如果温度过高，吸附原子可能获得足够的能量，不仅会扩散，还会完全离开表面并返回气相。 这个过程称为 解吸。 原子粘附（吸附）和原子离开（解吸）之间的平衡决定了薄膜的生长速率，并且高度依赖于温度。 较高温度下增加的移动性直接影响薄膜的组装方式，即所谓的“生长模式”。 为了创建原子级平滑的连续薄膜（外延生长），理想的模式是逐层生长（Frank-van der Merwe）。 这要求原子在表面扩散并完成一个完整的层，然后下一层才开始形成。 高温通过提供必要的表面移动性来促进这一点，前提是吸附原子比彼此之间更强烈地吸引到衬底上。 在极低温度下，原子没有移动性，形成的薄膜是 非晶态 的，具有类似于玻璃的无序原子结构。
  • 半导体物理与器件笔记（二十七）——半导体表面态与表面 . . .
    它是一种表面没有任何污染、杂质和缺陷的理想表面。 严格周期性排列的原子在这里中断，因此具有表面原子悬挂键。 悬挂键上可得到或失去电子，其状态出现在表面禁带中，称为表面态。 表面态的数目，与悬挂键数目相当，其密度约 10^ {15} cm^ {2} 个。
  • 离子轰击对膜 基界面的影响_表面_原子_基片
    因为高能离子注人，沉积原子的被溅射以及表面原子的反冲注入与级联碰撞现象，将引起近表面区膜 基界面的基片元素和膜材元素的非扩散型混合，这种混合效果将有利于在膜 基界面间形成“伪扩散层”，即膜 基界面间的过渡层，厚达几微米其中甚至
  • 薄膜物理第4章薄膜的形核与生长 - 豆丁网
    对不同的薄膜材料与基片组合，都有各自的最小稳定核。 团就变成不稳定的。 这种原子团为临界核。 用宏观物理量讨论膜的形成过程。 模型比较直观，所用物理量 能从实验中直接测得，适用于原子数量较大的粒子。 用角度来讨论薄膜的形成过程和结构。 可描述少数原子的成核、 原子团的形成过程，物理量不易直接测得。 薄膜形成：气相→吸附相→固相的相变过程。 •然后，原子团再增大，体系∆G下降，形成稳定核。 物与衬底材料之间的浸润程度，核的曲率半径为r。 大变得更稳定。 形成稳定核，所必须克服的势垒最高。 a 在一定条件下系统达到平衡，小原子团的数目不变。 失）。 即，当r< r*时, G增加, 凝聚不能进行。 b 要形成稳定薄膜，必须在薄膜表面形成稳定核，即稳定核 一旦产生，一般来说就不再分解。
  • 晶界扩散及表面扩散. ppt
    在间隙扩散机制中Q=ΔU；在空位扩散机制中Q=ΔU+ΔUV（ΔUV空位形成能）。 空位（置换）扩散的激活能包括原子跃迁激活能和空位形成能两部分，与间隙扩散比，空位扩散一般具有更高的扩散激活能和更低的扩散系数。
  • 影响薄膜器件质量的工艺要素及作用机理（下） - 广东振华科技
    它对膜层原子或分子提供额外能量补充，主要影响膜层结构、凝集系数、膨胀系数、聚集密度。 宏观反映在膜层折射率、散射、应力、附着力、硬度和不溶性都会因基片温度的不同而有较大差异。 （1）冷基片：一般用于蒸镀金属膜。 （2）高温优点: ①将吸附在基片表面的剩余气体分子排除，增加基片与沉积分子之间的结合力； ②)促使膜层物理吸附向化学吸附转化，增强分子之间相互作用，使膜层紧密，附着力增大提高了机械强度； ③ 减少蒸气分子再结晶温度与基片温度之间的差异，提高了膜层密集度，增加了膜层硬度消除内应力。 (3)温度过高弊端：使膜层结构变化或膜料分解。 4 离子轰击的影响 镀后轰击：提高膜层聚集密度，增进化学反应，使氧化物膜层的折射率增加，机械强度和抗激和附着力。 光损伤阈值提高。 5 基片材料的影响
  • 离子束溅射中的基片温度及其控制方法 - 道客巴巴
    对于薄膜的制备，基片的温度是一个重要参数。 本文主要从薄膜结构、应力和附着力三个方面总结了基片温度对离子束溅射工艺中薄膜生长的影响，并结合实际情况，介绍了在离子束刻蚀、溅射和磁控溅射镀膜工艺中的一些温度控制方法。
  • 【光电融合集成电路制造与封测】第四讲：扩散工艺，扩散的 . . .
    扩散 (Diffusion)是一种自然现象，是由物质自身的热运动引起的，运动的结果 是使浓度分布区域均匀。 在高温（约1000℃），P型或N型杂质气氛中，使杂质向衬底硅片的确定区域内扩散，达到一定浓度，实现半导体定域、定量参杂的一种工艺方法。 替位式扩散：主要是ⅢA族和VA族，如Al、B、Ga、In、P、Sb、As等 填隙式扩散：主要是IA族和VⅢA族元素，如Na、K、Li、H、Ar等 填隙-替位式扩散：大多数过渡元素，如Au、Fe、Cu、Pt、Ni、Ag等 单位时间内，通过垂直于扩散方向的单位面积上的扩散物质流量为扩散通量， 用 J 表示，单位为kg (cm^2·s)，其与该截面处的浓度梯度成正比。 D 为扩散系数；C 为扩散物质的体积浓度。
  • 薄膜沉积和CVD工艺全流程解析：从原理研究到材料选择的 . . .
    薄膜沉积是通过物理或化学方法在基片表面形成薄膜的过程，厚度从纳米到微米不等，具有特定的化学、物理和机械性质。 主要方法包括CVD、PVD、溅射沉积和ALD，广泛应用于光学、电子和保护等领域。





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