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英文字典中文字典相关资料:


  • 中子辐照诱生锆钛酸铅厚膜界面缺陷
    采用中子对厚度为5 μm 的锆钛酸铅(PZT)压电厚膜进行辐照, 选择注量为0 cm−2、1011 cm−2、1012 cm−2、1013 cm−2。 针对界面缺陷影响机制不清晰问题, 应用深能级瞬态谱(DLTS)对样品的界面缺陷能级、 浓度、 俘获截面等关键性质进行了系统性表征。 结果表明:1011 cm−2 的中子辐照使PZT厚膜界面处缺陷激活能从0 9 eV 增加到1 6 eV, 是导致极化强度降低11 2%、 介电常数下降以及漏电流增大的重要因素,且影响程度与辐照的注量呈正相关。 该研究结果对于压电材料和器件在辐照环境应用有重要参考意义。 彭茂洋, 孟德超, 傅正平 中子辐照诱生锆钛酸铅厚膜界面缺陷[J] 辐射研究与辐射工艺学报, 2024, 42(5): 050801
  • 中子辐照诱生锆钛酸铅厚膜界面缺陷
    锆钛酸铅（PZT）是一种广泛应用的铁电材料，其在辐照环境下的性能衰退对器件寿命有显著影响。 研究表明，PZT的辐照损伤阈值与材料形态有关，纳米级薄膜和毫米级陶瓷在中子辐照下表现出不同的性能衰退率。 然而，对于微机电系统（MEMS）技术中常用的微米级PZT厚膜，其在低注量中子辐照下的性能变化尚不清楚。 此外，现有研究对PZT中子辐照效应的分析还不够深入和具体，尤其是对界面缺陷的直接表征和分析。 本研究拟通过DLTS技术对PZT厚膜界面缺陷进行直接测试表征，并分析其对材料铁电、介电和漏电流性能的影响。 介绍了在Si SiO2衬底上采用磁控溅射技术生长Pb（Zr0 52Ti0 48）O3压电厚膜的方法，并使用不同中子注量进行辐照。
  • 中子辐照诱生锆钛酸铅厚膜界面缺陷 - 百度学术
    采用中子对厚度为5μm的锆钛酸铅 (PZT)压电厚膜进行辐照,选择注量为0 cm^ (-2),1011cm^ (-2),1012cm^ (-2),1013cm^ (-2) 针对界面缺陷影响机制不清晰问题,应用深能级瞬态谱 (DLTS)对样品的界面缺陷能级,浓度,俘获截面等关键性质进行了系统性表征 结果表明:1011cm^ (-2)的中子辐照
  • 中子辐照诱生锆钛酸铅厚膜界面缺陷
    采用中子对厚度为5 μm的锆钛酸铅（PZT）压电厚膜进行辐照，选择注量为0 cm-2、1011 cm-2、1012 cm-2、1013 cm-2。针对界面缺陷影响机制不清晰问题，应用深能级瞬态谱（DLTS）对样品的界面缺陷能级、浓度、俘获截面等关键性质进行了系统性表征。结果表明：1011cm-2的中子辐照使PZT厚膜界面处缺陷激活能从0
  • 辐射研究与辐射工艺学报 Journal of Radiation Research and . . .
    辐射研究与辐射工艺学报 Journal of Radiation Research and Radiation Processing 복사구여복사공예학보 主管单位： 中国科学院 主办单位： 中国科学院上海应用物理研究所 国际刊号：1000-3436 国内刊号：31-1258 TL 出版周期：双月刊
  • 辐射研究与辐射工艺学报2024 年第42 卷总目
    辐射技术的应用 针板电晕等离子体对提升农业地膜降解率的影响 冷雪健 金福宝 马山刚 重离子辐照育种对西蓝花幼苗生长及生理特性的影响
  • 基于蒙特卡罗模拟研究锆钛酸铅镧材料的中子辐照损伤
    辐照损伤在3 cm厚度内随深度的增加而略有减小, 总体变化小于50%, 该减小主要是由于中子的反散射导致 本工作为计算中子在材料中的位移损伤提供了一种方法, 同时模拟结果可为研究PLZT基电子器件的中子辐照效应提供指导
  • 基于蒙特卡罗模拟研究锆钛酸铅镧材料的中子辐照损伤 - 豆丁网
    <br >基于蒙特卡罗模拟研究锆钛酸铅镧材料的中子辐照损伤 <br >标题：基于蒙特卡罗模拟研究锆钛酸铅镧材料的中子辐照损伤 <br >摘要： <br >随着核能的广泛应用，人们对材料在高辐照环
  • 基于蒙特卡罗模拟研究锆钛酸铅镧材料的中子辐照损伤_中粉 . . .
    摘要： 锆钛酸铅镧 (Pb0 94La0 06Zr0 96Ti0 04O3,PLZT)具有良好的介电和储能性质,是高效、高能量密度电容元件和存储器件的基体材料 为研究该材料的中子辐照损伤,首先基于Geant4程序包模拟了能量为1-14 MeV中子辐照浩钛酸铅镧 (PLZT)材料产生的反冲原子能谱,然后根据产生的反冲原子种类和最大能量,利用二元碰撞方法模拟了不同能量的离子在PLZT中产生的位移损伤 (包括空位和间隙原子),最后根据反冲原子能谱和对应能量离子在材料中产生的缺陷数目计算了不同能量的中子在PLZT材料中产生缺陷浓度以及分布 结果发现,对于1-14 MeV能区的快中子而言,其在厚度为3 cm的PLZT材料中产生的缺陷数目近似与中子能量无关,约为460±120空位 中子 辐照损伤在
  • 上海硅酸盐所在协同提升锆钛酸铅基压电陶瓷性能参数研究中 . . .
    锆钛酸铅（PZT）基压电陶瓷材料由于压电系数高、性能稳定、机械强度大等优点，综合生产工艺简单和价格相对低廉的特点，是目前使用最广泛的压电陶瓷材料。 然而，在目前的PZT陶瓷性能改性方法中，压电性的增强通常以牺牲如居里温度、机械品质因数等其他关键性能参数为代价，限制了材料的应用领域。 大多数压电陶瓷的各性能参数之间存在一定的制衡，基于新方法新机理突破传统PZT压电陶瓷的性能局限，实现压电陶瓷的多参数共高是该领域的研究热点和难点。 近日，中国科学院上海硅酸盐研究所压电陶瓷材料与器件研究团队创新性通过高于居里温度极化方式调控铁电畴结构，并结合缺陷工程的策略，对PZT 基压电陶瓷开展了系列研究，并取得了最新进展。





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